无创脑电电机
生产地址
武汉市东湖开发区关东科技工业园七号地块7-5栋5楼5248室
结构及组成
主要结构:由电极片、导线以及连接器组成。主要性能:交流阻抗:10Hz下交流阻抗值:B型≤2.5 kΩ?cm2;C型≤0.15 kΩ?cm2;直流失调电压(30min稳定期后): B型≤30 mV、C型≤2mV;电位漂移(30min稳定期后): B型≤±5 mV/10min、C型≤±0.1 mV/10min;电阻:电阻值≤5Ω
适用范围
用于与脑电图机或脑电诊断仪器配套使用,用于接收和传递脑电信号,便于临床疾病的诊断。