| 项目名称 | 半导体器件的自主加工服务及测试 | 项目编号 | *** |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 2***23-***7-1*** 11:15:16 | 公示截止日期 | 2***23-***7-13 12:******:****** |
| 采购单位 | 之江实验室 | 付款方式 | 合同签订后付款 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 供货期 | ||
| 外贸代理费核算(若为进口采购) | 代理金额：1.4万USD以下，代理费：35******元人民币；代理金额：[1.4-5)万USD，代理费率：1.6%；代理金额：[5-1***)万USD，代理费率：1.3%; [1***-2***)万USD，1.1%；[2***-5***)万USD，***.6%；5***万USD及以上，代理费率：***.4% |
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| 预算 | ￥ 4948****** | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件
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| 收货地址 | |||
采购清单 1
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 椭偏仪 RC2 XI+ | 25 | 机时 | 测试评估认证服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ *** | ||
| 技术参数 | 1）在微电子器件的研究和制备过程中，通常需要生长介质薄膜，如高介电常数或者低介电常数薄膜，或者一些常规的介质薄膜，采用椭偏光谱测量，可以获得薄膜的厚度、折射率和消光系数，从而得到介电常数等信息；2）通过精准调整测试点位，可用于图形化刻蚀后的结果分析，判断刻蚀是否完全;25小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 2
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 深反应等离子体刻蚀机RIE | 2*** | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 18****** | ||
| 技术参数 | 1）该设备通过在反应腔室中通入可以与被刻蚀材料起化学反应的气体，射频电源将反应气体电离产生等离子体，基底被浸渍于高反应活性的等离子体中，基底表面未被掩蔽的部分与气体离子进行反应，反应产物呈气态排出腔室，从而实现材料刻蚀；2）该设备主要用于硅快速刻蚀及其他硅基材料的刻蚀，在衬底上形成高深宽比（如Aspect Ratio1******以上）的图案结构微纳米结构；3）该设备可用于制备三维器件，有利于后期三维集成工艺的实现；2***小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 3
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 感应耦合等离子体反应离子刻蚀（鲁汶） | 35 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 1********* | ||
| 技术参数 | 1）该设备用且仅于硅、聚合物和光刻胶、硅基介质材料如：氧化硅、氮化硅的刻蚀。控制刻蚀的形貌（同向性或异向性），并保持整个样品的均匀性，在衬底上形成的图案结构微纳米结构；2） 任何用金属作为掩膜材料的刻蚀（Si、SiO及SiN的刻蚀）可使用该台设备。主要刻蚀材料包括：Si、SiO、SiN、Ti、TiO2、TiN、GaO、PZT、NiO、Au（几十纳米尺寸）铪基氧化物半导体等、硫系玻璃等。；35小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 4
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 氮离子显微镜HIM | 18 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 24****** | ||
| 技术参数 | 1）超高分辨极表面成像（***.5nm）；2）可实现亚1***纳米加工能力（如高深宽比沟槽结构的受控铣削和刻蚀，气体辅助沉积金属栅格、柱状金属结构等）；3）同时具有Ga，Ne和He三离子束 ，可以根据图形尺寸及加工速度要求自由选择合适离子束；18小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 5
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 切片机DS616 | 18 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 4****** | ||
| 技术参数 | 1）可用于切割硅片、SOI等晶圆，亦可对整片流片的样品进行分割；2）CCD可对带有芯片图形的晶圆进行检测，实现自动对焦，可对切割痕进行测量；3）带图形化切割程序，可根据芯片图形进行连续切割；18小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 6
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 原子层沉积ALD | 18 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 1********* | ||
| 技术参数 | 1）主要可沉积氧化铝，氧化铪、氧化锆等氧化物介质层薄膜，对非平面结构实现均匀的共型薄膜覆盖；2）可将氨气或者氧气解离生成活性基团，注入反应腔参与PEALD的反应，可获得结构致密的薄膜；3）设备配有椭偏仪可对整个ALD的过程进行监控；4）在工艺过程中可通过设置recipe，以获得不同叠层结构的氧化物材料，如氧化铪与氧化锆调整循环顺序，可获得不同掺杂比例的铪基氧化物半导体；18小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 7
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 真空溅射镀膜CS-2******Z | 3*** | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 12****** | ||
| 技术参数 | 1）配有氮气和氧气，可进行普通溅射和反应溅射；2）可沉积铝、铜、金、银、铂、钛、铁、镍、硅、氧化硅、氧化锌、ITO、TiN、HZO等薄膜；3）可以对衬底加热最高3******度，以提高薄膜的致密度；4）工艺过程中可使用TiN通过反应溅射，制备金属栅电极或电容上下电极；亦可通过直接溅射的方式生长HZO、氧化硅作为栅氧化层；3***小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 8
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 感应耦合等离子体反应离子刻蚀SamcoRIE | 3*** | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 12****** | ||
| 技术参数 | 1）该设备用且仅于硅、聚合物和光刻胶、硅基介质材料如：氧化硅、氮化硅的刻蚀。控制刻蚀的形貌（同向性或异向性），并保持整个样品的均匀性，在衬底上形成的图案结构微纳米结构；2）工艺过程中可用来制备部分；此设备且仅限于用光刻胶或电子束胶作为掩膜时使用，不接受刻蚀金属及使用用金属作为掩膜的样品； 3***小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 9
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 电子束曝光机Raith EBL | 28 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 2********* | ||
| 技术参数 | 1）器件制备过程中涉及到图形化的过程中，使用EBL光刻机曝光，配合62******/PMMA光刻胶最低可实现纳米级线宽加工，加工精度高；2）套刻过程中放大倍数更高，在图形化套刻工艺中实现更为精细，可实现长路径无拼接误差；28小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 1***
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 场发射扫描电子显微镜Gemini SEM 5****** | 25 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ *** | ||
| 技术参数 | 1）电子书扫描样品表面，分析入射电子与表面作用后的信号，微观形貌观察，有效检验表面的各种微细加工图形和线条情况；2）对感兴趣区域进行元素定量分析，并获得元素面分布图;25小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 11
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 表面轮廓仪P7 | 2*** | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ *** | ||
| 技术参数 | 1）在微纳加工过程中，有一些特殊的薄膜，厚度无法通过椭偏光谱仪或者干涉仪测量得到，如金属薄膜TiN，采用台阶仪机械测量方法对厚度进行间接并且快速的测量；2）采用台阶仪的测量方法，配备台阶的标准样品，与扫描电镜相比，测量简单快速，而且可以得到相对准确的测量结果；2***小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 12
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 3D数码显微镜DSX1********* | 18 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 8****** | ||
| 技术参数 | 1）支持线宽、表面积、角度和直径等2D测量，还支持高度、体积、横截面积和其他3D特性的测量分析。能提供最真实，最清晰的形貌信息，配合同轴光学系统使得测量数据更准确可靠；2）其3D功能可以很好的支持三维器件在制备过程中的外观表征工作，比如undercut图形的深度，倾角等的观察；18小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 13
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 高分辨透射电镜Talos F2******X G2 | 22 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 1********* | ||
| 技术参数 | 1）电子束会聚投射样品，再放大成像，可用来研究表面微观缺陷，晶体缺陷相变等；2）可以实现TEM和STEM成像，选区电子衍射，成分分析及元素面分布，三维重构，原位加热等功能，分辨率高；22小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 14
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 等离子清洗机PC-3****** | 11 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 4****** | ||
| 技术参数 | 1）该设备其工作原理是将样品置于真空反应系统中，通入少量氧气，射频电源（13.56MHz）通过平行板电容放电的方式将O2电离，电离后的阳离子和自由基与样品表面的有机物，如光刻胶、有机残留物等发生反应，并将其去除；2）主要用于用于去除样品表面残留光刻胶及对材料进行表面改性；3）应用领域包括：有机膜的表面清洁、光刻胶灰化、去除有机污染物、增加粘附性；4）O plasma可用于界面处理;11小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 15
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 原子力显微镜AFM | 25 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ *** | ||
| 技术参数 | 1）原子力显微镜常用于对纳米尺度样品的表面形貌进行表征，能够提供原子级分辨率的显微镜；2）原子力显微镜还可以对样品表面的物理特性进行研究，能够测试多种材料表面组分区别、温度、表面电势、磁场力、静电力、摩擦力等;25小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 16
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 高真空蒸镀Ei-5z | 3*** | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 12****** | ||
| 技术参数 | 1）可实现单一材料的镀膜，也可在真空不间断下进行多种类型膜层连续沉积；2）双石英晶振膜厚测量系统，可以精确控制薄膜沉积速率和最终沉积厚度；3）可蒸镀铝、铜、钛、铬、金、银、铂、氧化硅、氧化铝、氧化锌等金属和非金属材料；4）在lift-off工艺过程中使用1*** nm Ti+ Al作为晶体管源漏两端的电极；3***小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 17
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 等离子增强化学气相沉积（无机） | 22 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 12****** | ||
| 技术参数 | 1）可用于沉积氧化硅，氮化硅，氮氧硅和掺氮非晶硅等薄膜材料；2）可通过调整生长参数获得不同具有折射率，光学带隙，吸收系数和薄膜应力的材料；3）折射率从1.45~3.******连续可调；禁带宽度和吸收边从在非晶硅到氧化硅之间连续可调；且薄膜应力从压应力到张应力可调；4）在工艺过程中该机器衬底采用硅衬底，且不含金属、光刻胶等；22小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 18
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 等离子增强化学气相沉积（有机） | 19 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 8****** | ||
| 技术参数 | 1）可用于沉积氧化硅，氮化硅，氮氧化硅和非晶硅等薄膜材料；2）可通过调整生长参数获得不同具有折射率，光学带隙，吸收系数和薄膜应力的材料；3）在工艺过程中可用来生长二氧化硅等材料的钝化层，样品加工上有金属淀积，该材料可保护背栅结构的沟道部分，同时为沟道提供顶部栅氧化物材料；19小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
采购清单 19
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 双面对准光刻机SUSS MA6 | 26 | 机时 | 技术测试和分析服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 2********* | ||
| 技术参数 | 1）器件制备过程中涉及到图形化的过程中，使用SUSS MA6光刻机曝光，配合153***/535***两种光刻胶最低可实现微米级线宽加工；2）工艺程序中可保存套刻位置信息，在多次图形化套刻工艺中更易实现；3）相关匀胶、显影、坚膜等工艺条件已经完备，可重复高；26小时 | ||
| 售后服务 | /; | ||
之江实验室
2***23-***7-1*** 11:15:16
